射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术

定　　价：79 元

• 作者：关赫著
• 出版时间：2024/2/1
• ISBN：9787561292181
• 出 版 社：西北工业大学出版社

• 中图法分类：TN4 
• 页码：214页
• 开本：24cm

内容简介

本书以行业内高阻硅(HRSi)基氨化镓外延和材料的研究成果为基础，以仿真设计为切入点，结合制备工艺，开展了基于高阻Si(111)衬底的氮化镓(GaN)异质结外延器件的技术研究。